MEMORY INTERNAL
Seringkali
terjadi salah pengertian atau salah persepsi pada saat membahas tentang memori.
Pengertian beberapa orang bahwa memori adalah ‘komponen’ yang berbentuk segi
empat dengan beberapa pin di bawahnya. Komponen tersebut dinamakan memory
module. Padahal pengertian sebenarnya memori itu adalah suatu penamaan
konsep yang bisa menyimpan data dan program. Kemudian ditambah dengan kata
internal, yang dimaksud adalah bahwa memori terpasang langsung pada
motherboard. Dengan demikian, pengertian memory internal sesungguhnya itu dapat
berupa :
·
First-Level (L1) Cache
·
Second-Level (L2) Cache
·
Memory Module
Penjelasan
dari masing- masing pengertian diatas adalah sebagai berikut :
1.
First
Level (L1) Cache
Memory yang bernama L1
Cache ini adalah memori yang terletak paling dekat dengan prosessor (lebih
spesifik lagi dekat dengan blok CU (Control Unit)). Penempatan Cache di prosessor
dikembangkan sejak PC i486. Memori di tingkat ini memiliki kapasitas yang
paling kecil (hanya 16 KB), tetapi memiliki kecepatan akses dalam hitungan
nanodetik (sepermilyar detik). Data yang berada di memori ini adalah data yang
paling penting dan paling sering diakses. Biasanya data di sini adalah data
yang telah diatur melalui OS (Operating system) menjadi Prioritas Tertinggi
(High Priority). Pengenalan perangkat keras
2.
Second-Level
(L2) Cache
Memori
L2 Cache ini terletak di Motherboard (lebih spesifik lagi : modul COAST : Cache
On a Stick. Bentuk khusus dari L2 yang mirip seperti Memory Module yang dapat
diganti-ganti tergantung motherboardnya). Akan tetapi ada juga yang
terintegrasi langsung dengan MotherBoard, atau juga ada yang terintegrasi
dengan Processor Module. Di L2 Cache ini, kapasitasnya lebih besar dari pada L1
Cache. Ukurannya berkisar antara 256 KB-2 MB. Biasanya L2 Cache yang lebih
besar diperlukan di MotherBoard untuk Server. Kecepatan akses sekitar 10 ns.
3.
Memory
Module
Memory
Module ini memiliki kapasitas yang berkisar antara 4 MB-512 MB. Kecepatan
aksesnya ada yang berbeda-beda. Ada yang berkecepatan 80 ns, 60 ns, 66 MHz (=15
ns), 100 MHz(=10ns), dan sekarang ini telah dikembangkan PC133mhZ(=7.5 ns).
Akan
tetapi pengelompokan dari memory internal juga terbagi atas :
·
RAM (Random Access Memory) dan
·
ROM (Read Only Memory)
1. RAM
(Random Access Memory)
A. Pengertian
Kelompok memori yang
diberi nama Random Access Memory ini memiliki karakteristik yang sesuai dengan
namanya. Dalam pengaksesan data yang tersimpan dalam memori dilakukan dengan
cara acak (random) bukand engan cara terurut (sequential) seperti pada
streamer. Hal ini berarti untuk mengakses elemen memori yang terletak dimanapun
di dalam modul ini, akan diakses dalam waktu yang sama.
Berdasarkan bahan
pembuatannya, RAM dikelompokkan dalam dua bagianutama, yaitu : static RAM dan dynamic RAM.
a. Static RAM
Secara internal, setiap
sel yang menyimpan n bit data memiliki 4 buah transistor yang menyusun beberapa
buah rangkaian Flip- flop. Dengan karakteristik rangkaian Flip- flop ini, data
yang disimpan hanyalah berupa Hidup (High state) dan Mati (Low State) yang
ditentukan oleh keadaan suatu transistor. Kecepatannya dibandingkan dengan
Dynamic RAM tentu saja lebih tinggi karena tidak diperlukan sinyal refresh untuk
mempertahankan isi memory.
b.
Dynamic RAM
Secara internal, setiap
sel yang menyimpan 1 bit data memiliki 1 buah transistor dan 1 buah
kondensator. Kondensator ini yang menjaga tegangan agar tetap mengaliri
transistor sehingga tetap dapat menyimpan data. Oleh karena penjagaan arus itu
harus dilakukan setiap beberapa saat (yang disebut refreshing) maka proses ini
memakan waktu yang lebih banyak daripada kinerja Static RAM.
B. Jenis-jenis
RAM
1) Synchronous DRAM (SDRAM) dikenal sebagai
SIMM SDRAM hanyalah memperbaiki kecepatan akses data yang tersimpan. Dengan
proses sinkronisasi kecepatan modul ini dengan Frekuensi Sistem Bus pada
prosessor diharapkan dapat meningkatkan kinerjanya. Modul EDO RAM dapat dibawa
ke kecepatan tertingginya di FSB maksimum 75 MHz, sedangkan SDRAM dapat dibawa
ke kecepatan 100 MHz pada sistem yang sama. SDRAM berikut ini juga dikembangkan
lebih jauh :
·
PC100 RAM
SDRAM
yang dikembangkan untuk sistem bus 100 MHz
·
PC133 RAM
SDRAM
yang dikembangkan untuk sistem bus 133 MHz
·
ECC RAM
SDRAM
yang dikembangkan untuk kebutuhan server yang memiliki kinerja yang berat.
Jenis SDRAM ini dapat mencari kerusakan data pada sel memori yang bersangkutan
dan langsung dapat memperbaikinya. Akan tetapi, batasan dari SDRAM jenis ini
adalah, sel data yang dapat diperbaiki hanya satu buah sel saja dalam satu
waktu pemrosesan data.
2) Burst
EDO RAM (BEDO RAM) adalah jenis EDO yang memiliki kemampuan Bursting. Kinerja
yang telah digenjot bisa 100% lebih tinggi dari FPM, 33% dari EDO RAM. Semula
dikembangkan untuk menggantikan SDRAM, tetapi karena prosesnya yang asinkron,
dan hanya terbatas sampai 66 MHz, praktis BEDO RAM ditinggalkan.
3) Rambus
DRAM (RDRAM) dikembangkan oleh RAMBUS Inc. Pengembangan ini menjadi polemik
karena Intel@ berusaha memperkenalkan PC133 MHz. RDRAM ini memiliki jalur data
yang sempit (8 bit) tapi kinerjanya tidak dapat diungguli oleh DRAM jenis lain
yang jalur datanya lebih lebar dari RDRAM yiatu 16 bit atau bahkan 32 bit. Hal
ini karena RDRAM ini memiliki Memory Controller yang dipercanggih. Tentunya
hanya Motherboard yang mendukung RAMBUS saja yang bisa memakai DRAM ini,
seperti MotherBoard untuk AMD K7 Athlon. Akan tetapi, RAM jenis ini dipakai
oleh 3dfx, Inc,. untuk mempercepat proses penggambaran obyek 3 dimensi yang
penuh oleh poligon. Contoh produk yang memakainya adalah 3dfx seri Voodoo4.
4) SyncLink
DRAM (SLDRAM) dibuat karena untuk memakai RDRAM ini harus membayar royalti
kepada RAMBUS Inc., hal ini dirasakan sangat mahal bagi pengembang motherboard.
Dengan kecepatan 200 MHz, dan bandwidth maksimum 1600MB/sec cukup untuk
mengkanvaskan perkembangan RAMBUS DRAM.
5) Double
Data Rate RAM (DDRAM) dikembangkan karena kebutuhan transmisi data sangat
tinggi. Teknologi ini dikembangkan berdasarkan transmisi data ke dan dari
terminal lain melalui sinyal tact.
6) Serial
Presence Detect (PSD) adalah perkembangan dari DIMM yang menyertakan sebuah
chip EPROM yang dapat menyimpan informasi tentang modul ini. Chip kecil yang
memiliki 8 pin ini bertindak sebagai SPD yang sedemikian rupa sehingga BIOS
dapat emmbaca seluruh informasi yang tersimpan di dalamnya dan dapat
menyetarakan FSB dengan waktu kerja untuk performa CPU-RAM yang sempurna.
C. Kecepatan
dan Bandwidth Maksimal
Kecepatan
RAM diukur dalam ns (nanoseconds). Makin kecil ns semakin cepat RAM. Dulu
kecepatan RAM sekitar 120, 100, dan 80 ns. Sekarang sekitar 15, 10, sampai 8
ns. Kecepatan RAM sangat berkaitan erat dengan system bus, apakah system bus
efektif atau tidak untuk menggunakan RAM yang cepat. Berikut ini tabel yang menggambarkan
hubungan clock speed dalam system bus dengan kecepatan RAM yang diperlukan.
Clock
Speed Time per clock tick
20
MHz 50 ns
25
MHz 40 ns
33
MHz 30 ns
50
MHz 20 ns
66
MHz 15 ns
100
MHz 10 ns
133
MHz 6 ns
Berikut
ini adalah peak bandwidth (bandwidth maksimal) dari tiga tipe RAM yang sudah
dikenal. Tabel berikut ini menunjukkan maksimal peak bandwidth yang ditransfer
dari RAM ke L2 Cache.
RAM
type Max. peak bandwidth
FPM
176 MB/sec
EDO
264 MB/sec
SD
528 MB/sec
2. ROM
(Read Only Memory)
Kelompok
memori yang bernama Read Only Memory ini juga memiliki karakteristik yang
sesuai dengan namanya. Data yang ada di dalam ROM ini adalah data yang telah
dimasukkan oleh pembuatnya. Data yang telah terkandung di dalamnya tidak dapat
diubah-ubah lagi melalui proses yang normal, dan hanya dapat dibaca saja.
Ada
bagian data di ROM ini dipergunakan untuk identitas dari komputer itu sendiri.
Hal ini tersimpan dalam BIOS (Basic Input Output Systems). Ada juga data yang
terkandung dalam modul ini yang pertama kali diakses oleh sebuah komputer
ketika dinyalakan. Urutan-urutan yang terkandung di dalam modul ini dan yang
diakses pertama kali ketika komputer dihidupkan diberi nama BOOTSTRAP. Dalam
proses BootStrap ini, dilakukan beberapa instruksi seperti pengecekan komponen
internal pendukung kerja minimal suatu sistem komputer,seperti memeriksa ALU,
CU, BUS pendukung dari MotherBoard dan Prosessor, memeriksa BIOS utama, memeriksa
BIOS kartu grafik, memeriksa keadaan Memory Module, memeriksa keberadaan
Secondary Storage yang dapat berupa Floopy Disk, Hard Disk, ataupun CD-ROM
Drive, kemudian baru memeriksa daerah MBR (Master Boot Record) dari media
penyimpanan yang ditunjuk oleh BIOS (dalam proses Boot Sequence). Berikut ini
akan dibahas jenis ROM dan perkembangannya.
A. PROM
(Programable ROM)
ROM
ini memberikan kesempatan bagi pemakai untuk mengubah data yang tersimpan
secara default. Sebuah alat yang bernama PROM programmer bertugas “membakar”
(burning in) chip ini. Dengan arus listrik yang kuat lokasi bit akan terbakar
dan menunjukkan sebuah nilai (0 atau 1). Setelah melalui proses burningin, PROM
ini tidak dapat lagi diubah-ubah isinya.
B. EPROM
(Erasable Programable ROM)
Chip
ini adalah perkembangan dari PROM. Hanya saja, EPROM ini dapat dihapus isi yang
terdahulu dengan menggunakan sinar ultraviolet. Sinar tersebut melewati celah
di kumpulan chip. Dengan demikian, muatan yang tersimpan dapatterlepas. Dengan
kata lain, EPROM dapat dihapus dengan sinar Ultraviolet dan diprogram ulang
secara elektrik.
C. EEPROM
(Electrically Erasable Programable ROM)
Chip
ini tidak jauh berbeda dengan EPROM, tetapi EEPROM datanya dapat dihapus tanpa
menggunakan sinar ultraviolet. Cukup gunakan pulsa listrik (electrical pulses).
Jenis ROM seperti PROM, EPROM dan EEPROM tergolong ke memori stabil
(nonvolatile memories). Artinya, ketiga jenis memori ROM ini akan tetap
menyimpan datanya walaupun ketika tidak dialiri oleh arus listrik. Pada perkembangannya,
chip EEPROM telah digunakan untuk BIOS dari sebuah MotherBoard. Dengan
menggunakan teknik “flash”, isi dari BIOS pun dapat dibuat lebih baru (update).
Akan tetapi, bahaya dari flashable BIOS adalah semua orang dapat mengubah
isinya, termasuk juga virus. Jika telah diubah oleh virus, maka motherboard
komputer yang dipakai itu tidak akan bisa dipakai kembali.
Sumber : lecturer.eepis-its.edu/~iwanarif/itc4.PDF -